1.產(chǎn)品概述：
系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
2.設(shè)備用途：
脈沖激光沉積(Pulsed Laser DeposiTION，簡稱PLD)是新近發(fā)展起來的一項技術(shù)，繼20世紀(jì)80年代末成功地制備出高臨界溫度的超導(dǎo)薄膜之后，它的優(yōu)點和潛力逐漸被人們認識和重視。該項技術(shù)在生成復(fù)雜的化合物薄膜方面得到了非常好的結(jié)果。與常規(guī)的沉積技術(shù)相比，脈沖激光沉積的過程被認為是“化學(xué)計量"的過程，因為它是將靶的成分轉(zhuǎn)換成沉積薄膜，非常適合于沉積氧化物之類的復(fù)雜結(jié)構(gòu)材料。當(dāng)脈沖激光制備技術(shù)在難熔材料及多組分材料(如化合物半導(dǎo)體、電子陶瓷、超導(dǎo)材料)的精密薄膜，顯示出了誘人的應(yīng)用景。
3.真空室結(jié)構(gòu):
球形開門
真空室尺寸:φ450mm
限真空度:≤6.67E-6Pa
沉積源:φ2英寸靶材，4個
樣品尺寸，溫度:φ2英寸，1片，高800℃
占地面積（長x寬x高）:約1.8米x0.97米x1.9米
電控描述:全自動
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