1.產(chǎn)品概述：
高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)主要由濺射真空室、旋轉靶臺、抗氧化基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
2.設備用途：
高真空脈沖激光濺射薄膜沉積系統(tǒng)用于制備超導薄膜、半導體薄膜、鐵電薄膜、超硬薄膜等。廣泛應用于大院校、科研院所進行薄膜材料的科研。
3.產(chǎn)品優(yōu)點：
可對化學成分復雜的復合物材料進行全等同鍍膜，易于保證鍍膜后化學計量比的穩(wěn)定。
反應迅速，生長快，通常一小時可獲得一定厚度的薄膜。
定向性強、薄膜分辨率高，能實現(xiàn)微區(qū)沉積。
生長過程中可原位引入多種氣體，對提高薄膜質量有重要意義。
容易制備多層膜和異質膜，通過簡單的換靶即可實現(xiàn)
4.真空室結構:
球形結構
真空室尺寸:Ф300mm
限真空度:≤6.67E-5Pa
沉積源:Φ30mm,每次可裝4塊靶材，可實現(xiàn)公轉換靶位；每塊靶材可自轉，轉速5～60轉/分；
樣品尺寸，溫度:1英寸，高800℃
占地面積（長x寬x高）:約1.8米x0.97米x1.9米
電控描述:全自動
工藝:片內膜厚均勻性：≤±5%
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