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等離子增強化學氣相沉積PECVD
等離子增強化學氣相沉積PECVD(1) 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模...
型號： customize... 所在地：英國參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:41:58 對比

氣相沉積化學氣相沉積設(shè)備
化學氣相沉積MOCVD
MOCVD設(shè)備是通過將反應(yīng)物質(zhì)以有機金屬化合物氣體分子的形式，經(jīng)載帶氣體送到反應(yīng)室，進行熱分解反應(yīng)而生長出薄膜材料。應(yīng)用方向：Ga2O3,GaN, InP, G...
型號： customize... 所在地：德國參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:38:03 對比

化學氣相沉積氣相沉積設(shè)備愛思強
脈沖激光沉積鍍膜機PLD
脈沖激光沉積鍍膜機PLD系統(tǒng)主要由真空室、旋轉(zhuǎn)靶臺、基片加熱臺、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機臺、真空測量及電控系統(tǒng)等部分組成。
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:35:11 對比

脈沖激光沉積鍍膜機鍍膜機
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-230iP是以電感耦合等離子體為放電方式，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備高速進行各種材料的超精細加工的負載鎖定型ICP蝕刻系統(tǒng)。該系統(tǒng)通過采用龍卷風式線圈電...
型號： RIE-230iP 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:32:42 對比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-230iP SAMCO
電子束蒸發(fā)鍍膜機E-Beam
電子束蒸發(fā)鍍膜機E-Beam 概述：系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室、主抽過渡管路、旋轉(zhuǎn)基片架、光加熱系統(tǒng)、電子槍及電源、石英晶體振蕩膜厚監(jiān)控儀、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、...
型號： customize... 所在地：美國參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:32:13 對比

電子束蒸發(fā)鍍膜機鍍膜機
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE
分子束外延薄膜沉積系統(tǒng)MBE 是在超高真空系統(tǒng)中把所需要的結(jié)晶材料放入到噴射爐中，將噴射爐加熱。使結(jié)晶材料形成分子束，從爐中噴出后，沉積在高溫的單晶基片上。如果...
型號： customize... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:31:10 對比

薄膜沉積系統(tǒng)分子束外延分子束外延沈陽科儀
等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備
RIE-400iP是用于ø4 “晶圓的負載鎖定型蝕刻系統(tǒng)，等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可對各種半導體和絕緣膜進行高精度、高均勻性加工。采用龍卷風線圈的電...
型號： RIE-400iP 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:30:06 對比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 RIE-400iP SAMCO
熱蒸發(fā)鍍膜機Thermal Evaporation
熱蒸發(fā)鍍膜機Thermal Evaporation 設(shè)備用途：熱蒸發(fā)是指把待鍍膜的基片或工件置于真空室內(nèi)，通過對鍍膜材料加熱使其蒸發(fā)氣化而沉積于基體或工件表面并...
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:28:53 對比

熱蒸發(fā)鍍膜機鍍膜機
等離子體刻蝕設(shè)備
高密度等離子體刻蝕設(shè)備系統(tǒng)采用電感耦合等離子體作為放電形式。該系統(tǒng)配備了真空盒室，是一套完整的生產(chǎn)系統(tǒng)，具有優(yōu)良的工藝重復性和穩(wěn)定性。
型號： RIE-800iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:25:32 對比

等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備 SAMCO RIE-800iPC
磁控濺射鍍膜機Sputter
磁控濺射鍍膜機Sputter應(yīng)用領(lǐng)域：巨磁電阻（GMR）、組合材料科學（CMS）、半導體、超導體、納米級器件、光子學、光伏（PV）、OLED（發(fā)光二極管）、有機...
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:22:18 對比

磁控濺射鍍膜機
多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺
Kurt J. Lesker Company PRO Line PVD 200 多功能濺射、電子束和熱蒸發(fā)沉積平臺是一種模塊化、功能齊全的薄膜沉積系統(tǒng)，可實現(xiàn) ...
型號： PRO Line ... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:15:39 對比

物理氣相沉積 PRO Line PVD 200 KURT.J.LESKER
無掩膜/激光直寫光刻機
無掩膜/激光直寫光刻機參數(shù)：1. 光源：375 nm、385 nm、405 nm 激光器2. 線寬：0.5μm、0.6μm、1.0μm、1.5μm3. 光刻效...
型號： UV Litho-... 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:14:13 對比

無掩膜光刻機激光直寫光刻機光通訊芯片光刻功率芯片光刻生物芯片
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備
槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：RCA清洗，濕法去膠，介質(zhì)層濕法刻蝕，金屬層濕法刻蝕，爐管前清洗等
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:11:50 對比

槽式濕法刻蝕清洗設(shè)備 RCA清洗濕法去膠介質(zhì)層濕法刻蝕爐管前清洗
有掩膜光刻機
1.手動、半自動、全自動有掩膜光刻機2.高分辨率掩模對準光刻，特征尺寸優(yōu)于0.5微米3.基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸4.經(jīng)過特殊設(shè)計，方便處理各種非標準基...
型號： MA12 所在地：深圳市參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:10:06 對比

半導體薄膜生長化學氣相沉積設(shè)備氣相沉積鍍膜機氣相沉積
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-802BCT深硅刻蝕設(shè)備是采用電感耦合等離子體作為放電形式的兩個反應(yīng)室的量產(chǎn)用硅深孔系統(tǒng)。標準配置有空氣盒和晶圓邊緣保護環(huán)，以及高精度的晶圓對準器。該高...
型號： RIE-802BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:09:17 對比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-802BCT SAMCO
有機EL成膜設(shè)備SOLCIET
有機EL成膜設(shè)備SOLCIET, SATELLA, ZELDA系列。ULVAC面向有機EL材料開發(fā)提供實驗用設(shè)備系統(tǒng)到量產(chǎn)Cluster系統(tǒng)設(shè)備和Inline系...
型號： SATELLA, ... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:08:25 對比

有機EL成膜設(shè)備SOLCIET 愛發(fā)科 ULVAC
等離子清洗&去膠機
等離子清洗&去膠機產(chǎn)品簡介：1) 用途：材料清洗、材料活化、材料刻蝕、材料涂覆(2) 80 kHz：功率 1000 或 3000 W(3) 13.56 MHz：...
型號： customize... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:05:19 對比

等離子清洗&去膠機清洗機去膠
深硅刻蝕設(shè)備
RIE-800BCT是使用電感耦合等離子體作為放電形式的生產(chǎn)型硅DRIE系統(tǒng)。這種高性能系統(tǒng)能夠進行高縱橫比處理（超過100）和低扇形處理，同時保持高蝕刻率和選...
型號： RIE-800BC... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 14:01:59 對比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800BCT SAMCO
電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備
Samco 的 RIE-800iPB 是一種電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備，使用高密度等離子體進行 MEMS 和 TSV 應(yīng)用所需的深度硅蝕刻。RIE-800iPB是...
型號： RIE-800iP... 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 13:57:32 對比

深硅刻蝕設(shè)備 RIE-800iPB SAMCO
等離子體增強型CVD系統(tǒng)
PD-200STL是一種用于研發(fā)的低溫(80~400℃)、高速(300nm/min)等離子體增強型CVD系統(tǒng)。Samco的液態(tài)源CVD系統(tǒng)采用自偏置沉積技術(shù)和液...
型號： PD-200STL 所在地：國外參考價：面議更新時間：2024/9/6 13:51:59 對比

等離子體增強型CVD系統(tǒng)PD-200STL 化學氣相沉積 SAMCO

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