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多腔等離子體工藝系統(tǒng)

參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號customized

品牌矢量科學(xué)

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

更新時(shí)間:2024-09-05 11:07:29瀏覽次數(shù):955次

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多腔等離子體工藝系統(tǒng)-概述:
1.方案是適用于最大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng)
2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn)
3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空

一、系統(tǒng)設(shè)備概述

多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)是一款優(yōu)良的沉積/刻蝕設(shè)備,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造和微電子領(lǐng)域。該系統(tǒng)通過在多個(gè)腔室中產(chǎn)生等離子體,利用反應(yīng)氣體對材料進(jìn)行選擇性沉積/刻蝕,能夠?qū)崿F(xiàn)高精度和高均勻性的沉積/刻蝕效果。多腔設(shè)計(jì)使得設(shè)備能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓,提高生產(chǎn)效率和吞吐量。該設(shè)備適用于多種材料,包括硅、氮化物和金屬等,廣泛用于集成電路、MEMS 以及光電器件的制造。憑借其良好沉積/刻蝕性能和靈活的工藝調(diào)節(jié)能力,多腔等離子體沉積/刻蝕系統(tǒng)在現(xiàn)代微納米加工中發(fā)揮著重要作用。

二、設(shè)備用途與原理

1.設(shè)備用途

多腔等離子體刻蝕沉積/刻蝕主要用于半導(dǎo)體制造、微電子和納米技術(shù)領(lǐng)域。它廣泛應(yīng)用于集成電路(IC)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)、光電器件及其他高精度微納加工,能夠?qū)崿F(xiàn)對硅、氮化物、金屬等多種材料的選擇性沉積/刻蝕。

2.工作原理

該系統(tǒng)通過在多個(gè)腔室中產(chǎn)生等離子體,利用反應(yīng)氣體與材料表面反應(yīng),選擇性去除材料。首先,反應(yīng)氣體被引入刻蝕腔室,經(jīng)過電場激勵(lì)后形成等離子體。等離子體中的活性粒子與待刻蝕材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),產(chǎn)生揮發(fā)性副產(chǎn)物,從而實(shí)現(xiàn)材料的去除。多腔設(shè)計(jì)使得系統(tǒng)能夠同時(shí)處理多個(gè)晶圓,顯著提高生產(chǎn)效率和均勻性。此外,系統(tǒng)的工藝參數(shù)可調(diào)節(jié),允許用戶優(yōu)化刻蝕速率和選擇性,以滿足不同應(yīng)用的需求。

三、設(shè)備組成

1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體沉積/刻蝕工藝系統(tǒng);

2.系統(tǒng)可用于研發(fā)和小批量生產(chǎn);

3.系統(tǒng)兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規(guī)則碎片;不同尺寸樣片之間的切換、無需反應(yīng)腔的開腔破真空;

4.系統(tǒng)包括:

  一個(gè)六端口的轉(zhuǎn)接腔、帶機(jī)械手

  六個(gè)端口分別連接:

1)一個(gè) ALE 刻蝕腔模塊:用于 Al2O3, AlGaN, GaN 等的原子層刻蝕;

2)一個(gè)ICPECVD 沉積腔模塊:用于沉積氧化硅、氮化硅、氮氧硅等介質(zhì)薄膜;

3)一個(gè)低溫 ICP-RIE 刻蝕腔模塊:配氟基氣體,主要用于低溫深硅刻蝕、常溫鍺刻蝕等;

4)一個(gè) loadlock 預(yù)真空室模塊:用于單片樣品的手動(dòng)送樣;

5)一個(gè)真空片盒站模塊:用于多片片盒的自動(dòng)送樣;

6)一個(gè)端口備用,未來可升增加 1 個(gè)刻蝕或沉積反應(yīng)腔模塊工藝系統(tǒng)。


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